抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110719050.5
IPC分类号：C30B35/00;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/30;C23C14/34;C30B29/40
申请日期：
2021-06-28
申请人：
中国科学院上海光学精密机械研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用
申请号	CN202110719050.5	申请日期	2021-06-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113445131A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海光学精密机械研究所	申请人地址	上海市嘉定区清河路390号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海光学精密机械研究所	当前权利人	中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人	赵呈春;杭寅;龚巧瑞
代理机构	上海恒慧知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张宁展

摘要

本发明提供了一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用。所述方法的步骤为：首先将所用氮化镓籽晶表面进行抛光后，采用腐蚀液对籽晶腐蚀，使籽晶表面位错位置产生位错腐蚀坑。之后采用在籽晶表面沉积一层覆盖材料。然后采用机械抛光法将上述步骤中腐蚀坑之外表面覆盖材料去除，最后使用此籽晶进行晶体生长获得氮化镓单晶。本发明提供的一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用，可以实现对位错缺陷的有效抑制，同时达到对无位错区域的充分利用，而且步骤简单，成本较低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供