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相变化随机存取记忆体元件的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911106563.8
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2019-11-13
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称相变化随机存取记忆体元件的形成方法
申请号CN201911106563.8申请日期2019-11-13
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-05-22公开/公告号CN111192956A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人林毓超;涂元添;余绍铭;李东颖
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国
摘要
一种相变化随机存取记忆体(PCRAM)元件的形成方法包括:在底部电极上形成相变化元件并且在该相变化元件上形成顶部电极;在该相变化元件周围形成保护层;以及在形成该保护层之后,在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。

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