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一种半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510172229.8
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2015-04-13
申请人：
成都士兰半导体制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体结构及其形成方法
申请号	CN201510172229.8	申请日期	2015-04-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-12	公开/公告号	CN104835720A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	成都士兰半导体制造有限公司	申请人地址	四川省成都市金堂县成都—阿坝工业集中发展区内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都士兰半导体制造有限公司	当前权利人	成都士兰半导体制造有限公司
发明人	杨彦涛;王平;邵凯;赵金波;王海涛;宋金伟
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，通过在半导体衬底的边缘区域形成阻止层，使得在外延生长过程中半导体衬底边缘区域无法长单晶，确保半导体衬底边沿由于倒角质量等存在的晶体缺陷不会在外延中被放大形成缺口、裂缝、崩边甚至碎片，也不会存在外延冠等异常，解决了匀胶及曝光工艺中出现光刻胶堆积、匀胶不良、曝光发虚等光刻异常的问题。

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