EEPROM器件的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910202026.3
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/266
申请日期：
2009-12-24
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	EEPROM器件的制作方法
申请号	CN200910202026.3	申请日期	2009-12-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102110655A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	陈昊瑜
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	顾继光

摘要

本发明公开了一种EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO；最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。本发明通过上述方法，将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行，避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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