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半导体器件接触器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN99118308.8
  • IPC分类号:H01L21/66;G01R31/26;G01R1/06
  • 申请日期:
    1999-08-26
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件接触器
申请号CN99118308.8申请日期1999-08-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2000-06-28公开/公告号CN1258096
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;1;/;0;6查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社索思未来当前权利人株式会社索思未来
发明人丸山茂幸;深谷太;长谷山诚
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人杜日新
摘要
半导体器件(20)的接触器(10A),包括用于保持带有许多端子(21)的半导体器件的底座部件(12A)和带有至少与一些端子对应的接触电极(14)的布线基板(11A)。在布线基板被吸在底座部件上时接触电极和端子电连接。在底座部件和布线基板之间还设有施加保持位置力机构装置(17)及在半导体器件和布线基板之间设有施加接触压力机构装置(16)。机构装置(16)可以独立方式操作的。

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