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金属氧化物层的形成

发明专利有效专利

申请号：
CN201810579777.6
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/285
申请日期：
2018-06-06
申请人：
恩智浦美国有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	金属氧化物层的形成
申请号	CN201810579777.6	申请日期	2018-06-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-14	公开/公告号	CN109003881A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人	恩智浦美国有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩智浦美国有限公司	当前权利人	恩智浦美国有限公司
发明人	拉马·I·赫格德
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	潘军

摘要

一种用于在晶片上形成金属氧化物层的方法。在一些实施例中，所述方法包括在晶片上形成金属卤氧化物层，接着对所述晶片进行退火，所述退火从所述层移除卤素以形成金属氧化物层。半导体装置可由所述晶片形成。

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