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用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201280056744.4
IPC分类号：C23C14/24;C23C14/22;C03C17/00;C23C14/56;H01L31/18
申请日期：
2012-11-07
申请人：
第一太阳能有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
申请号	CN201280056744.4	申请日期	2012-11-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-17	公开/公告号	CN104053811A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;2;2;;;C;0;3;C;1;7;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	第一太阳能有限公司	申请人地址	美国俄亥俄州佩里斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	第一太阳能有限公司	当前权利人	第一太阳能有限公司
发明人	约翰·巴顿;瑞克·C·鲍威尔
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	王占杰;韩芳

摘要

一种改进的用于持续气相传输沉积的方法和给料器系统，所述给料器系统包括通过改进的密封件结合到共同的分配器的至少两个蒸发器，以用于分别蒸发和收集至少任何两种可蒸发材料，以使材料在基底上沉积为材料层。多个蒸发器提供冗余操作并允许在蒸发器维修和修理期间持续沉积。

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