深紫外LED器件结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011645426.4
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00
申请日期：
2020-12-31
申请人：
广东省科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	深紫外LED器件结构及其制备方法
申请号	CN202011645426.4	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-04	公开/公告号	CN112750925A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	广东省科学院半导体研究所	申请人地址	广东省广州市天河区长兴路363号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东省科学院半导体研究所	当前权利人	广东省科学院半导体研究所
发明人	李祈昕;陈志涛;张康;刘宁炀;何晨光;吴华龙
代理机构	北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李彬彬;陈莉娥

摘要

本发明公开一种深紫外LED器件结构及其制备方法，其中，深紫外LED器件结构包括第一基体；生长在第一基体上的n型层，n型层为Al组分在0.5‑1之间的高Al组分的n‑AlGaN层；生长在n型层上的多量子阱层和过渡层；依次生长在多量子阱层上的p型层和p电极；以及生长在过渡层上的n电极；过渡层由至少两种Al组分不同的n‑AlGaN交替生长形成，且过渡层的与n型层接触的底层生长层由Al组分在0.5‑1之间的n‑AlGaN生长形成，过渡层的表面生长层由Al组分在0.5以下的n‑AlGaN生长形成。本发明在减小n型层与过渡层晶格失配的同时，将n电极生长在Al组分在0.5以下的n‑AlGaN上，使得n电极在生长在过渡层上时能够直接与过渡层之间形成n型欧姆接触或通过低温退火处理后与过渡层之间形成n型欧姆接触。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供