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用以改善所需化学机械抛光压强对于将由抛光头施加于晶片的作用力的转换精度的具有改良解析度的设备及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02807603.6
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2002-03-27
  • 申请人:
    兰姆研究有限公司
著录项信息
专利名称用以改善所需化学机械抛光压强对于将由抛光头施加于晶片的作用力的转换精度的具有改良解析度的设备及方法
申请号CN02807603.6申请日期2002-03-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2004-11-03公开/公告号CN1543595
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人兰姆研究有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人兰姆研究有限公司当前权利人兰姆研究有限公司
发明人M·A·萨尔达纳
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吴立明;张志醒
摘要
一种CMP系统及方法,其中抛光垫相对一晶片及一定位环作横向移动,以执行于CMP操作时施加所需压强至该晶片的指令。该压强计算及压强对作用力转换的精确度,可在不使用高解析度元件,例如高解析度字装置的情形下获得改善。在数字及模拟两种操作下,通过由一组单位转换至第二组单位后再转换为第一组单位的所需压强或作用力值的转换,可获得该改善的精确度。本发明的量化过程,可藉由一具有普通解析度的数字装置处理的数据而完成。该过程在分开的处理器间传送压强/作用力刻度及压强/作用力设定点数据,以获得具有可接受的粗确度的压强及作用力计算值,如此可消除或显著减少量化误差。

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