开放腔桥功率递送架构和工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202011528760.1
IPC分类号：H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
申请日期：
2020-12-22
申请人：
英特尔公司

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著录项信息

专利名称	开放腔桥功率递送架构和工艺
申请号	CN202011528760.1	申请日期	2020-12-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113451288A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/16 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	O·卡拉德;M·莫迪;S·阿格拉哈拉姆;N·德什潘德;D·劳拉内
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李啸;姜冰

摘要

本文公开的实施例包括具有开放腔桥的多管芯封装。在示例中，电子设备包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘以及开放腔。桥管芯在开放腔中，该桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、第一多个桥焊盘与第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘，以及导电迹线。第一管芯耦合到第一多个衬底焊盘和第一多个桥焊盘。第二管芯耦合到第二多个衬底焊盘和第二多个桥焊盘。功率递送导电线耦合到功率递送桥焊盘。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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