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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

超结功率半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780049913.0
  • IPC分类号:H01L29/76
  • 申请日期:
    2007-04-13
  • 申请人:
    西利康尼克斯科技公司
著录项信息
专利名称超结功率半导体器件
申请号CN200780049913.0申请日期2007-04-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-02-03公开/公告号CN101641791
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/76
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;6查看分类表>
申请人西利康尼克斯科技公司申请人地址
新加坡新加坡市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西利康尼克斯科技公司当前权利人西利康尼克斯科技公司
发明人丹尼尔·M·金策
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司代理人禇海英;武玉琴
摘要
一种超结功率半导体器件,其包括多个沟槽栅极(16,图1)和多个间隔的漂移区域(32),各漂移区域从各自的栅极槽(14)延伸至作为漏极的基板(10),并且仅沿着栅极槽(14)的侧壁的一部分延伸。

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