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用于离子植入机中的静电透镜的端电极

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201621045811.4
  • IPC分类号:H01J37/12;H01J37/317
  • 申请日期:
    2016-09-09
  • 申请人:
    瓦里安半导体设备公司
著录项信息
专利名称用于离子植入机中的静电透镜的端电极
申请号CN201621045811.4申请日期2016-09-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/12IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;1;2;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7查看分类表>
申请人瓦里安半导体设备公司申请人地址
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瓦里安半导体设备公司当前权利人瓦里安半导体设备公司
发明人W·戴维斯·李
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人杨贝贝;臧建明
摘要
本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的端电极。端电极具有第一和第二表面及端电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束,第一和第二表面在y‑z平面中是弯曲的,端电极开口具有顶端、底端和中心部分,端电极开口在顶端和底端处的宽度大于端电极开口在中心部分处的宽度,端电极开口在顶端处的宽度等于端电极开口在底端处的宽度;端电极开口具有沿着y轴测量的开口高度;端电极的第一表面具有第一曲率半径,端电极的第二表面具有第二曲率半径,第一和第二曲率半径是从沿着正z轴的点测量的;第一曲率半径大于第二曲率半径。静电透镜通过调节端电极可以获得多种不同射束形状。

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