一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811533723.2
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2018-12-14
申请人：
北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达新材料有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法
申请号	CN201811533723.2	申请日期	2018-12-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-20	公开/公告号	CN110592672A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达新材料有限公司	申请人地址	北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司,北京天科合达新材料有限公司	当前权利人	北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司,北京天科合达新材料有限公司
发明人	刘春俊;雍庆;彭同华;赵宁;王波;杨建
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供