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一种LED芯片及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210066265.2
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L33/14;H01L33/06
  • 申请日期:
    2012-03-14
  • 申请人:
    上海博恩世通光电股份有限公司
著录项信息
专利名称一种LED芯片及其制备方法
申请号CN201210066265.2申请日期2012-03-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103311382A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人上海博恩世通光电股份有限公司申请人地址
上海市徐汇区虹桥路1号港汇广场1座4706室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海博恩世通光电股份有限公司当前权利人上海博恩世通光电股份有限公司
发明人付学成;蔡凤萍;杨辉
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种LED芯片及其制备方法,该制备方法主要是采用溶胶凝胶制备一种多孔SiO2薄膜作为电流阻挡层,用以改善现有技术中用PECVD的方法沉积二氧化硅时等离子体带来的P-GaN损伤,造成工作电压升高,以及不能减少P电极吸光的问题,本发明的LED芯片中由于多孔SiO2薄膜的存在,量子阱所发出的光被多孔SiO2薄膜多次反射和折射,部分光从电流阻挡层的侧面出来,减少了P电极吸光,进而提高芯片的亮度。

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