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具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片的封装结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200820005236.4
  • IPC分类号:H01L25/00;H01L25/075
  • 申请日期:
    2008-03-25
  • 申请人:
    宏齐科技股份有限公司
著录项信息
专利名称具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片的封装结构
申请号CN200820005236.4申请日期2008-03-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/00IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人宏齐科技股份有限公司申请人地址
台湾省新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宏齐科技股份有限公司当前权利人宏齐科技股份有限公司
发明人汪秉龙;巫世裕;吴文逵
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人梁挥;祁建国
摘要
本实用新型公开了一种具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片封装结构,其包括:一基板单元、一发光单元、一封装胶体单元、及一框架单元。其中,该发光单元具有多个设置于该基板单元上的发光二极管芯片。该封装胶体单元具有一覆盖于该等发光二极管芯片上的条状封装胶体,其中该条状封装胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面。该框架单元为一层覆盖于该基板单元上并包覆该条状封装胶体而只露出该胶体出光面的框架层。

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