具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底

发明专利无效专利

申请号：
CN200480038456.1
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/64
申请日期：
2004-12-17
申请人：
英特尔公司

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著录项信息

专利名称	具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底
申请号	CN200480038456.1	申请日期	2004-12-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-17	公开/公告号	CN1898795
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	C·帕兰杜兹
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘红;梁永

摘要

本发明涉及集成电路封装的衬底诸如封装衬底或插入衬底的制造。使用其中具有多个通路孔的绿色材料形成基底结构。随后烧结该绿色材料，使得绿色材料变成烧结陶瓷材料且该基底结构变成具有通路孔的烧结陶瓷基底结构。在烧结陶瓷基底结构的每个通路孔内形成导电通路。在该烧结陶瓷基底结构上形成电容器结构。该电容器结构的电源层和接地层连接到该通路。这样可形成电容器结构，且无需在诸如硅衬底的脆性衬底中钻出通路孔而将该电容器结构连接到通路。烧结陶瓷材料还具有低的热膨胀系数，可承受制造该电容器结构时的高温加工条件，且制造成本不昂贵。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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