可提供较低电压电路保护的MOS晶体管触发暂态电压抑制器

发明专利有效专利

申请号：
CN200880005019.8
IPC分类号：H02H3/20
申请日期：
2008-02-21
申请人：
万国半导体股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	可提供较低电压电路保护的MOS晶体管触发暂态电压抑制器
申请号	CN200880005019.8	申请日期	2008-02-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-30	公开/公告号	CN101617452
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H3/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H3/00 对正常电工作情况的不希望有的变化直接响应的自动断开紧急保护电路装置，有或无事后再连接（专用于特殊类型的电机或电设备或专用于电缆或电线系统分段保护的入H02H 7/00；用于转换到备用电源的系统入H02J 9/00） H02H3/20 对过电压响应的	IPC分类号	H;0;2;H;3;/;2;0查看分类表>
申请人	万国半导体股份有限公司	申请人地址	百慕大哈密尔顿变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	万国半导体股份有限公司	当前权利人	万国半导体股份有限公司
发明人	雪克·玛力卡勒强斯瓦密;马督儿·博德
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	张静洁;王敏杰

摘要

一种制成为集成电路(IC)的电子器件，其中，该电子器件进一步包含暂态电压抑制(TVS)电路。该TVS电路包含有触发MOS晶体管，连接于第一双极结晶体管(BJT)的发射极与集电极之间，该第一BJT与第二BJT耦合，并形成一SCR，以作为TVS电路的主要箝位电路。并且，该TVS电路进一步包含有触发电路，用以产生触发信号以输入至触发MOS晶体管，其中触发电路包含多个堆叠MOS晶体管，在保持低漏电流的同时，其通过暂态电压来转变为导通状态。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供