一种基于有机增益杂化腔激光器及设计方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010178629.0
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2020-03-14
申请人：
杭州电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于有机增益杂化腔激光器及设计方法
申请号	CN202010178629.0	申请日期	2020-03-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-04	公开/公告号	CN111490452A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	邓志磊;王涛;孙嘉诚;张浩然;王高峰
代理机构	杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	杨舟涛

摘要

本发明公开了一种基于有机增益杂化腔激光器及设计方法，现有技术中垂直腔表面发射激光器凭借其尺寸小、低功耗、小发散角、可集成、易与光纤耦和等优点，近年来在光通信、光传感等领域发挥着重要作用。然而对于VCSEL的制备工艺要求较高，特别是量子阱增益区，通常需要金属有机化学气相沉积或者分子束外延等方法制备。这样，不仅制备工艺复杂、污染环境，还增加了激光器的成本。因此，本发明考虑通过采用非线性有机增益材料代替半导体量子阱增益，进而可以大大减少制备工艺的复杂性，同时还可以解决激光器的成本问题。

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