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一种电致发光器件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710070055.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-07-17
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种电致发光器件及其制备方法
申请号CN200710070055.X申请日期2007-07-17
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2008-01-02公开/公告号CN101097981
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人杨德仁;马向阳;章圆圆;陈培良;阙端麟
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人韩介梅
摘要
本发明公开的电致发光器件是二氧化钛电致发光的器件,由硅衬底、自下而上依次沉积在硅衬底正面的TiO2薄膜和ITO电极以及沉积在硅衬底背面的欧姆接触电极组成。其制备步骤如下:先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中,反应室抽真空,以纯钛金属为靶材,以Ar作为溅射气氛,进行溅射沉积,得到Ti膜;然后将Ti膜在O2气氛下热氧化,生成TiO2薄膜。在TiO2薄膜上溅射ITO电极,在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明的器件结构和实现方式简单,制得的硅基二氧化钛电致发光器件的电致发光峰位在450nm、515nm和600nm,并且该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容,易实现大规模、低成本制造的优点。

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