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适用于光电子和电子器件中的复合膜

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680012838.6
  • IPC分类号:H01L51/00;B29C55/06;C08L67/03
  • 申请日期:
    2006-03-16
  • 申请人:
    杜邦帝人薄膜美国有限公司
著录项信息
专利名称适用于光电子和电子器件中的复合膜
申请号CN200680012838.6申请日期2006-03-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-04-09公开/公告号CN101160674
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/00IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;0;;;B;2;9;C;5;5;/;0;6;;;C;0;8;L;6;7;/;0;3查看分类表>
申请人杜邦帝人薄膜美国有限公司申请人地址
美国特拉华州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杜邦帝人薄膜美国有限公司当前权利人杜邦帝人薄膜美国有限公司
发明人威廉·阿拉斯代尔·麦克唐纳;弗兰克·普拉奇多;罗伯特·威廉·伊夫森
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人章社杲;李丙林
摘要
本发明涉及一种复合膜的制造方法和一种电子或者光电子器件的制造方法。所述方法包括以下步骤:(i)形成聚合物衬底层;(ii)至少在一个方向上拉伸该衬底层;(iii)在约19到75kg/m膜宽度范围内的张力的尺寸控制条件下,在高于衬底聚合物的玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下进行热定形;(iv)在高于衬底的聚合物玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下对该膜进行热稳定化;(v)应用平面化涂层组合物,使所述涂层衬底的表面表现出小于0.6nm的Ra值和/或小于0.8nm的Rq值;(vi)通过使用高能量气相沉积法提供厚度为2nm到1000nm的无机屏蔽层;以及,优选地,(vii)提供包括所述聚合物衬底层、所述平面化涂层和所述无机屏蔽层的复合膜,用作所述电子或者光电子器件中的衬底、以及所述复合膜和所述电子或者光电子器件本身。

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