一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510563657.3
IPC分类号：H01L21/332;H01L21/66;H01L21/263
申请日期：
2015-09-08
申请人：
浙江省能源与核技术应用研究院

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专利名称	一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法
申请号	CN201510563657.3	申请日期	2015-09-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-20	公开/公告号	CN105261565A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/332 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/33 包括3个或更多电极的器件〔5〕 H01L21/332 晶闸管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;3查看分类表>
申请人	浙江省能源与核技术应用研究院	申请人地址	浙江省杭州市文二路218号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江省能源与核技术应用研究院	当前权利人	浙江省能源与核技术应用研究院
发明人	陈祖良;岳巍;王华明;章月红;李兆龙
代理机构	杭州九洲专利事务所有限公司	代理人	韩小燕

摘要

本发明涉及一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法。本发明的目的是提供一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法，主要实现两个目的，1、作为常规方法生产结束后可控硅晶圆片触发电流偏小的补救措施；2、可控硅晶圆片触发电流档位与客户需求不匹配时一种快速调节的方法。本发明的技术方案是：该方案包括了两种，一种是在常规生产结束后发现某些可控硅晶圆片的触发电流偏小而采取的补救措施，另一种是已经分档入库的产品但是可控硅晶圆片的触发电流档位与客户需求不符时的快速调节方法。本发明适用于半导体技术领域。

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