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一种锗镓纳米线及其原位生长方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810124315.5
  • IPC分类号:C25C5/02;B22F1/00;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2018-02-07
  • 申请人:
    吉林师范大学
著录项信息
专利名称一种锗镓纳米线及其原位生长方法
申请号CN201810124315.5申请日期2018-02-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-07-24公开/公告号CN108315770A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25C5/02IPC分类号C;2;5;C;5;/;0;2;;;B;2;2;F;1;/;0;0;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人吉林师范大学申请人地址
吉林省四平市海丰大街1301号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林师范大学当前权利人吉林师范大学
发明人孟祥东;于兆亮;王多;李海波;孙萌;尹默;袁梦
代理机构北京高沃律师事务所代理人刘奇
摘要
本发明提供了一种锗镓纳米线的原位生长方法,包括以下步骤:在水氧含量低于2ppm的环境中,将GaCl3、GeCl4和离子液体混合,得到电解液;采用包括工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系将所述电解液在55~65℃、‑1.4~‑1.6V的条件下恒压电沉积镓,在所述工作电极的表面得到镓纳米球;继续在55~65℃、‑2~‑2.3V的条件下恒压电沉积生长锗,在所述工作电极的表面原位生长锗镓纳米线。本发明提供的锗镓纳米线能改善纯锗阳极的电池循环性能与倍率性能;且本发明提供的原位生长方法操作简单、成本低。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供