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一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010250574.X
  • IPC分类号:C04B35/493;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/33
  • 申请日期:
    2020-04-01
  • 申请人:
    广东工业大学
著录项信息
专利名称一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其制备方法和应用
申请号CN202010250574.X申请日期2020-04-01
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2020-07-31公开/公告号CN111470863A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/493IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;H;0;1;G;4;/;1;2;;;H;0;1;G;4;/;3;3查看分类表>
申请人广东工业大学申请人地址
广东省广州市大学城外环西路100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东工业大学当前权利人广东工业大学
发明人鲁圣国;赵鹏飞;王世斌;姚丽丽
代理机构广东广信君达律师事务所代理人李庆伟
摘要
本发明属于电介质材料技术领域,公开一种掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电厚膜陶瓷及其应用。所述厚膜陶瓷的分子式为PbxSryLaz(ZrnSnmTiv)O3,其中,x=0.85~0.88,y=0.06~0.09,z=0.06,n=0.45~0.8,m=0.15~0.5,v=0.05。本发明通过流延成型的工艺制备的掺锶锆钛锡酸镧铅弛豫性反铁电体陶瓷厚膜的厚度可控,其单层的厚度为40~50微米,多层的厚度可叠为500~1000层。该厚膜陶瓷其致密性好且均匀,并具有良好的储能性能和储能效率,其储能密度能达到3.7~3.9J/cm3,其储能效率高于89.5%,其在锆储能密度的电容器中有良好的应用前景。

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