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半导体对准测试结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510111836.X
  • IPC分类号:H01L23/544
  • 申请日期:
    2005-12-22
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称半导体对准测试结构
申请号CN200510111836.X申请日期2005-12-22
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2007-06-27公开/公告号CN1988147
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人徐开勤;东野智彦;熊淑平;陈春晖
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种半导体对准测试结构,填充有金属的通孔与被测结构的下层铝层相互接触,通孔与被测结构的上层铝层之间存在偏移L,还包括探头,测试被测结构上下层铝层之间的电流,该电流在上下层铝层之间偏移大于1/2L时为通路,在上下层铝层之间偏移小于1/2L时为0。本发明一种半导体对准测试结构,通孔和上层铝之间不相互接触,当存在超出范围的偏移时,探头之间即产生电流,从而可以更准确的进行对准测试。本发明可以用于对准监控,并且比已有技术的结构更紧凑,同时具有更高的灵敏度。

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