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低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710945731.7
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/336
申请日期：
2017-10-12
申请人：
惠科股份有限公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法
申请号	CN201710945731.7	申请日期	2017-10-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-17	公开/公告号	CN107919268A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	惠科股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠科股份有限公司	当前权利人	惠科股份有限公司
发明人	单剑锋
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	许志勇;王宁

摘要

低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法。本申请提出一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：在一衬底上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一硅层；提供一光罩；从所述光罩移转一图案至所述硅层，所述图案留有再结晶成长空间，对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，并使所述多晶硅层的部分硅材料形成至再结晶成长空间。

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