一种高精度硅基压阻式压力传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110217698.2
IPC分类号：G01L9/02
申请日期：
2021-02-26
申请人：
西安微电子技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种高精度硅基压阻式压力传感器
申请号	CN202110217698.2	申请日期	2021-02-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113008438A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L9/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L9/00 用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的（测量两个或多个压力差值的入G01L 13/00；同时测量两个或多个压力值的入G01L 15/00） G01L9/02 利用改变欧姆电阻值的，例如，使用电位计	IPC分类号	G;0;1;L;9;/;0;2查看分类表>
申请人	西安微电子技术研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路198号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安微电子技术研究所	当前权利人	西安微电子技术研究所
发明人	杨浩;徐鑫;郑东飞;袁海
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	李红霖

摘要

本发明公开了一种高精度硅基压阻式压力传感器，属于硅基集成压力传感器设计技术领域。包括厚膜陶瓷基板，厚膜陶瓷基板的正面设有气压检测口，厚膜陶瓷基板的背面设有陶瓷封装体，陶瓷封装体内部的厚膜陶瓷基板区域上设有硅基压力传感器芯片和伺服电路；其中，硅基压力传感器芯片通过键合方式实现电气连接。本发明所述高精度硅基压阻式压力传感器，具有温度补偿功能，减小补偿误差，能够满足高精度应用场合的技术需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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