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一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110445083.1
  • IPC分类号:G05F1/567
  • 申请日期:
    2011-12-27
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源
申请号CN201110445083.1申请日期2011-12-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-06-13公开/公告号CN102495659A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/567
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IPC结构图谱:
IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6;7查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学无锡分校当前权利人东南大学无锡分校
发明人吴建辉;张理振;温峻峰;张萌;李红;王旭东;白春风;赵强
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明公开了一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于:该带隙基准电压源包括一阶温度补偿基准电流产生电路(1),指数温度补偿电流产生电路(2),误差放大器(3),启动电路(4)及基准电流-电压转换电路(5);一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输入端同时与启动电路(4)的输出端及一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端相连,一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端同时与指数温度补偿电流产生电路(2)的第一输入端及误差放大器(3)的第一输入端相连。本发明增加很少的器件和功耗,得到了更低的温度系数。

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