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一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610828123.3
  • IPC分类号:C30B29/06;C30B28/06
  • 申请日期:
    2016-09-18
  • 申请人:
    江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
著录项信息
专利名称一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
申请号CN201610828123.3申请日期2016-09-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-12-21公开/公告号CN106245113A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/06IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6查看分类表>
申请人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司申请人地址
江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司当前权利人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
发明人鄢俊琦;陈红荣;胡动力;何亮
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫;熊永强
摘要
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,包括:提供铸锭炉,铸锭炉包括坩埚和隔热笼;在坩埚底部铺设籽晶,籽晶之间留有缝隙,形成籽晶层;在籽晶层上方填装硅料;加热使坩埚底部的温度上升,待籽晶表面开始熔化形成熔融液时,开启隔热笼并提升隔热笼的高度,以降低坩埚底部温度,熔融液填充在籽晶之间的缝隙中并凝固,得到致密的籽晶层,继续加热使硅料熔化形成硅熔体;待硅料熔化后形成的固液界面刚好处在或深入致密的籽晶层时,调节热场形成过冷状态,使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶;待全部硅熔体结晶完后,经退火冷却得到多晶硅锭。本发明在致密的籽晶层上形核结晶,可以避免杂质渗透到籽晶中,同时形核容易控制,得到的多晶硅锭质量较好。

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