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垂直导通式发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710143215.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-08-07
  • 申请人:
    新世纪光电股份有限公司
著录项信息
专利名称垂直导通式发光二极管及其制造方法
申请号CN200710143215.9申请日期2007-08-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-02-11公开/公告号CN101364623
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人新世纪光电股份有限公司申请人地址
台湾省台南县善化镇台南科学工业园区大利三路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人新世纪光电股份有限公司当前权利人新世纪光电股份有限公司
发明人徐智魁;徐海文;钟宽仁
代理机构中国商标专利事务所有限公司代理人万学堂
摘要
本发明公开了一种垂直导通式发光二极管,包括一块作为电极的板状基材、一块接合在基材上并可以光电效应产生光的量子单元,及一片与量子单元相殴姆接触且可与基板共同对量子单元提供电能使其发光的电极,特别的是,量子单元的n型披覆层包括一层由深蚀刻形成而具有多数根高度介于次微米尺度的光修正柱的柱丛部,借由柱丛部的多数根光修正柱与周遭介质的折射系数差,可以使量子单元产生的光在行进间发生散射的机率增加,进而提升元件的发光亮度。此外,本发明还揭示此种垂直导通式发光二极管的制造方法。

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