转印方法及热纳米压印装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201380024210.8
IPC分类号：B29C59/04;B29C65/02;H01L21/027;B29L7/00
申请日期：
2013-04-30
申请人：
旭化成电子材料株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	转印方法及热纳米压印装置
申请号	CN201380024210.8	申请日期	2013-04-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-07	公开/公告号	CN104271332A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B29C59/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B29 塑料的加工；一般处于塑性状态物质的加工 B29C 塑料的成型或连接；塑性状态材料的成型，不包含在其他类目中的；已成型产品的后处理，例如修整（制作预型件入B29B 11/00；通过将原本不相连接的层结合成为各层连在一起的产品来制造层状产品入B32B 7/00至B32B 41/00）〔4〕 B29C59/00 表面成型，如压花；所用的设备〔4〕 B29C59/02 用机械方法，如压制〔4〕 B29C59/04 使用辊或环形带〔4〕	IPC分类号	B;2;9;C;5;9;/;0;4;;;B;2;9;C;6;5;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;B;2;9;L;7;/;0;0查看分类表>
申请人	旭化成电子材料株式会社	申请人地址	日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旭化成株式会社	当前权利人	旭化成株式会社
发明人	细见尚希;古池润;山口布士人
代理机构	上海市华诚律师事务所	代理人	李晓

摘要

使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(儿)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供