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半导体发光装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200880115866.X
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/60
  • 申请日期:
    2008-11-13
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光装置
申请号CN200880115866.X申请日期2008-11-13
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2010-10-06公开/公告号CN101855734A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人龟井英德
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汪惠民
摘要
在基板的一面形成发光层并在形成有发光层的同一侧形成了n侧电极和p侧电极的半导体发光装置中,需要让半导体发光元件发出的热朝次载具散发。但是,存在下述问题,即:要按照电极的大小及形状多种多样的半导体发光元件依次制作并管理兼具散热功能的连接部件是非常繁琐的。为了解决该问题,本发明公开了一种半导体发光装置。在该半导体发光装置中,使n侧电极附近的p侧凸块的形成密度提高。其结果是,在半导体发光元件和次载具之间n侧电极附近的导热面积增加,使得散热效果提高。

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