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一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611027276.4
  • IPC分类号:H01C7/10;H01C17/06;C04B35/453
  • 申请日期:
    2016-11-16
  • 申请人:
    江西兴勤电子有限公司
著录项信息
专利名称一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法
申请号CN201611027276.4申请日期2016-11-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-18公开/公告号CN107068311A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01C7/10IPC分类号H;0;1;C;7;/;1;0;;;H;0;1;C;1;7;/;0;6;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3查看分类表>
申请人江西兴勤电子有限公司申请人地址
江西省景德镇市浮梁县陶瓷工业园区唐英大道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江西兴勤电子有限公司当前权利人江西兴勤电子有限公司
发明人施彦良;林勇名;郑志伟
代理机构北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)代理人秦月贞
摘要
本发明公开了一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法,压敏电阻器包括陶瓷主体,所述陶瓷主体的内部设置有若干左右交错设置的内电极,且该陶瓷主体的两端设置有外电极,所述内电极与外电极电连接,所述陶瓷主体包括以下质量分数的原料:80~97.5wt%主原料和2.5~20wt%副原料,所述主原料包括氧化锌,所述副原料包括以下质量分数的添加剂:0.05~20wt%的第一添加剂、0.1~5.0wt%的第二添加剂、0.1~1.5wt%的第三添加剂和0.001~1.0wt%的第四添加剂,所述第一添加剂包括B‑Bi‑Zn‑Pr或B‑Bi‑Zn‑La微奈米玻璃粉中的一种或两种;所述第二添加剂包括过渡金属Co、Cr、Ni、Mn的氧化物或化合物中的至少一种;所述第三添加剂包括SnO2,所述第四添加剂包括含银化合物或含铝化合物中的至少一种。

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