数据存储介质及其制造方法、数据存储装置及其操作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03154602.1
IPC分类号：G11B9/00;H01L45/00;H01L27/00
申请日期：
2003-07-05
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	数据存储介质及其制造方法、数据存储装置及其操作方法
申请号	CN03154602.1	申请日期	2003-07-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-04-21	公开/公告号	CN1490889
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B9/00 利用G11B 3/00至G11B 7/00的任一大组均未包括的方法或装置进行记录或重现；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕	IPC分类号	G;1;1;B;9;/;0;0;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	洪承范;柳寅儆;丁柱焕
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。

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