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改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010107743.0
  • IPC分类号:H01L21/00
  • 申请日期:
    2010-02-09
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法
申请号CN201010107743.0申请日期2010-02-09
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-08-10公开/公告号CN102148130A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/00IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人杨华;季亮;王雷
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人王函
摘要
本发明公开了一种改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法,包括如下步骤:第一步,薄膜成长;第二步,湿法药液处理;第三步,光刻胶涂覆和曝光。本发明可以改善硅片批次之间受等待时间影响造成的关键尺寸差异,保证再工事前后的关键尺寸稳定性,且能够提供更好的光刻控制工艺能力。

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