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LED芯片的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110329555.7
  • IPC分类号:H01L33/00;B23K26/38
  • 申请日期:
    2011-10-24
  • 申请人:
    三星钻石工业股份有限公司
著录项信息
专利名称LED芯片的制造方法
申请号CN201110329555.7申请日期2011-10-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-07-25公开/公告号CN102610711A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;3;8查看分类表>
申请人三星钻石工业股份有限公司申请人地址
日本大阪 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星钻石工业股份有限公司当前权利人三星钻石工业股份有限公司
发明人木山直哉;中谷郁祥
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人孟锐
摘要
本申请的发明是一种LED芯片的制造方法。本发明提供的LED的制造方法中,当通过从背面侧照射激光来形成分割起点时,无需另外事先沿着预定分割线除去反射膜。LED芯片的制造方法中包括如下步骤:对于母板(1)沿着预定分割线照射激光光束L,从而形成用于分割成各个LED元件主体(2)的分割起点A,所述母板(1)中,在透光性基板(1)的表面侧(1a)以图案形成着多个LED元件主体(2),并且在背面侧(1b)包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜(3),该制造方法中,在背面侧(1b)形成反射膜(3),且以使激光光束L从背面侧(1b)透过反射膜(3)而直接照射在基板背面的方式对基板(1)进行激光加工,所述反射膜(3)具有如下性质:将LED元件主体(2)发出的发出光和荧光材料的荧光的波长范围反射,且使照射在预定分割线上的激光光束L的波长光透过。

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