一种微型半导体发光器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110705796.0
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48
申请日期：
2021-06-24
申请人：
深圳第三代半导体研究院

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专利名称	一种微型半导体发光器件及其制造方法
申请号	CN202110705796.0	申请日期	2021-06-24
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-02	公开/公告号	CN113594307A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	深圳第三代半导体研究院	申请人地址	广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳第三代半导体研究院	当前权利人	深圳第三代半导体研究院
发明人	颜改革;谭胜友;朱酉良;蒋振宇;闫春辉
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李庆波

摘要

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层，包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层，包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中，第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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