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具有附加ESD注入的横向双极晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610068320.6
  • IPC分类号:H01L29/735;H01L23/60
  • 申请日期:
    2006-03-29
  • 申请人:
    英飞凌科技股份公司
著录项信息
专利名称具有附加ESD注入的横向双极晶体管
申请号CN200610068320.6申请日期2006-03-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-11-01公开/公告号CN1855532
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/735
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人英飞凌科技股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份公司当前权利人英飞凌科技股份公司
发明人J·施奈德;M·温德尔
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘红;梁永
摘要
半导体器件(10)包括第一导电类型(例如p型)的半导体体区(12)。第二导电类型(例如n型)的第一掺杂区域(14)布置在半导体体区(12)的上表面。第二导电类型的第二掺杂区域(16)布置在半导体体区(12)的上表面并通过隔离区域(18)与第一掺杂区域(14)分离。第一接触(26)位于第一掺杂区域(14)之上并与之电耦合,第二接触(28)位于第二掺杂区域(16)之上并与之电耦合。第一导电类型的第三掺杂区域(32)布置在第一掺杂区域(14)之下的半导体体区(12)中。

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