一种低匹配线电容的TCAM单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201510468136.X
IPC分类号：G11C15/04
申请日期：
2015-08-03
申请人：
大连理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低匹配线电容的TCAM单元
申请号	CN201510468136.X	申请日期	2015-08-03
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-12-23	公开/公告号	CN105185407A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C15/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C15/00 所存储的信息是由一个或多个被写入的特征部分所组成并且该信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存储器，即相关存储器或内容编址存储器（其中对特定单元信息编址的入G11C 11/00）〔2〕 G11C15/04 应用半导体元件的〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人	大连理工大学	申请人地址	辽宁省大连市高新园区凌工路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连理工大学	当前权利人	大连理工大学
发明人	张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯
代理机构	大连星海专利事务所有限公司	代理人	王树本

摘要

本发明涉及一种TCAM单元，一种低匹配线电容的TCAM单元，包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4，所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端，T1输入端与T2输出端相连作为D#端，MN1栅极与D#端相连，MN2栅极与D端相连；T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端，T3输入端与T4输出端相连作为M#端；MN3栅极与M#端相连，源极分别与MN1、MN2漏极相连，MN4栅极与M端相连，源极接地，MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连，源极接地，漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4，大大降低了匹配线功耗。另外，由于D和D#互补，避免了两个MOS管之间短路问题的发生。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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