半导体结构的形成方法和半导体结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201410310726.5
IPC分类号：H01L21/266;H01L21/336
申请日期：
2014-07-01
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构的形成方法和半导体结构
申请号	CN201410310726.5	申请日期	2014-07-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-30	公开/公告号	CN105448680A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/266 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/265 产生离子注入的〔2〕 H01L21/266 应用掩膜的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	李勇
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	吴敏;骆苏华

摘要

一种半导体结构的形成方法和半导体结构，其中，半导体结构包括：衬底，包括二极管区和晶体管区，二极管区至少具有一个第一鳍部，晶体管区至少具有一个第二鳍部；位于半导体衬底内的第一阱区；位于第二阱区上的第一阱区，第一、第二阱区类型不同；位于衬底上的至少一个第一栅极结构；位于半导体衬底上的至少一个第二栅极结构；第一栅极结构两侧的第一鳍部内具有第一halo离子注入区和第一LDD离子注入区，或者具有第一halo离子注入区和第一源漏离子注入区，或者具有第一halo离子注入区、第一LDD离子注入区和第一源漏离子注入区；第二栅极结构两侧的第二鳍部内具有晶体管的源极和漏极。本发明的半导体结构的输出电压稳定。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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