测量小电容失配特性的测试结构和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310419521.6
IPC分类号：G01R27/26
申请日期：
2013-09-13
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	测量小电容失配特性的测试结构和方法
申请号	CN201310419521.6	申请日期	2013-09-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-25	公开/公告号	CN103472311A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R27/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R27/00 测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置 G01R27/02 电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量（仅仅通过测量相位角的入G01R 25/00） G01R27/26 电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	郭奥;任铮;胡少坚;周伟
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明提出了一种小电容失配特性的测试结构，包括由两对PMOS/NMOS管组成的两个完全对称设置的类反相器，其中PMOS管的栅极共同连接PMOS时钟信号端；NMOS管的栅极共同连接NMOS时钟信号端，PMOS时钟信号端和NMOS时钟信号端控制每一对PMOS管和NMOS管不同时导通。每一对PMOS管和NMOS管的漏极连接待测的小电容的一端，且漏极与地之间有寄生电容。两个小电容的另一端均连接控制信号端，在第一测量时间段内控制信号端发出的控制信号为低电平；在第二测量时间段内，当PMOS管导通时控制信号为高电平，当NMOS管导通时控制信号为低电平。两个电流计在两个测量时段内分别测量流经类反相器的电流值，以获得两个小电容的电容值及电容失配特性。本发明能够准确测量和表征小电容失配特性。

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