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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410347324.2
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77
  • 申请日期:
    2010-03-12
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN201410347324.2申请日期2010-03-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-10-29公开/公告号CN104124280A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县厚木市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人大原宏树;佐佐木俊成
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人李啸;汤春龙
摘要
若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化,则因晶化而形成表面凹凸,可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序:在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理,在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外,在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上,或其氮密度为1×1019/cm3以上。

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