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半导体装置以及制造半导体装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011484117.3
IPC分类号：H01L23/04;H01L23/10;H01L23/16;H01L21/50
申请日期：
2020-12-16
申请人：
安靠科技新加坡控股私人有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置以及制造半导体装置的方法
申请号	CN202011484117.3	申请日期	2020-12-16
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113013104A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/02 容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/04 按外形区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	安靠科技新加坡控股私人有限公司	申请人地址	新加坡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安靠科技新加坡控股私人有限公司	当前权利人	安靠科技新加坡控股私人有限公司
发明人	花田翔二郎;中村慎吾
代理机构	北京寰华知识产权代理有限公司	代理人	何尤玉;郭仁建

摘要

半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；电子组件，其在所述腔中在所述基底的顶侧上；盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。本文中也公开其它实例和相关方法。

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