半导体激光元件

发明专利有效专利

申请号：
CN02142273.7
IPC分类号：H01S5/00
申请日期：
2002-08-29
申请人：
三井化学株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光元件
申请号	CN02142273.7	申请日期	2002-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-02	公开/公告号	CN1407677
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	三井化学株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三井化学株式会社	当前权利人	三井化学株式会社
发明人	藤本毅;室清文;小矶武
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	吴邦基

摘要

本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层(25)的至少一侧设具有活性层(25)的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层(27)，在光波导层(27)外侧设具有光波导层(27)的禁带宽度以上的禁带宽度的包层(28)，在光波导层(27)上，设经选择成长埋入的、具有带状窗(R21)的折射率控制层(31)的实际折射率波导型半导体激光元件中，该折射率控制层的膜厚在300nm以下，折射率控制层(31)埋入光波导层(27)；在埋入的折射率控制层(31)上设先行选择成长的半导体层(30)，在包含半导体层(30)和折射率控制层(31)的叠层部分中，半导体层(30)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层(31)的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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