有效机电耦合系数可调的超高频谐振器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110947614.0
IPC分类号：H03H9/13;H03H9/145;H03H9/17
申请日期：
2021-08-18
申请人：
武汉大学

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著录项信息

专利名称	有效机电耦合系数可调的超高频谐振器
申请号	CN202110947614.0	申请日期	2021-08-18
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113726307A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕 H03H9/125 激励装置，例如电极，线圈〔3〕 H03H9/13 用于由压电或电致伸缩材料构成的网络（H03H 9/145优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;1;3;;;H;0;3;H;9;/;1;4;5;;;H;0;3;H;9;/;1;7查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	孙成亮;温志伟;刘文娟;蔡耀;刘婕妤;徐沁文;谷曦宇;曲远航
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	肖明洲

摘要

本发明公开了一种有效机电耦合系数可调的超高频谐振器，其结构包括：沟槽，电极，压电薄膜；电极位于压电薄膜上表面。沟槽横截面为矩形、梯形、弧形中任一种，长度方向与电极长度方向一致，沟槽数目、宽度和深度据实际情况确定。沟槽可位于压电薄膜上表面或下表面或位于上下表面，若其位于压电薄膜上表面，则位于电极左右两侧；若其位于压电薄膜下表面，则位于电极正下方；若其位于压电薄膜上下表面，则上表面的沟槽位于电极左右两侧，下表面的沟槽位于电极正下方。刻蚀沟槽能够有效减小超高频谐振器的带宽，且可以通过改变沟槽的宽度和深度调节有效机电耦合系数，实现带宽可调。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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