半导体封装结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910482909.8
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/56;H01L21/60
申请日期：
2019-06-04
申请人：
中芯长电半导体（江阴）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体封装结构及其制备方法
申请号	CN201910482909.8	申请日期	2019-06-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-04	公开/公告号	CN112038300A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	中芯长电半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	吕娇;陈彦亨;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括基底；牺牲层，位于基底的上表面；重新布线层，位于牺牲层的上表面；芯片，倒装合于重新布线层的上表面；第一电连接结构，位于重新布线层的上表面；第一塑封层，位于重新布线层的上表面，且将芯片及所述第一电连接结构塑封；第二电连接结构，位于第一塑封层上；第二塑封层，位于第一塑封层上，且将第二电连接结构塑封；顶层金属线层，位于第二塑封层上；翘曲调整层，位于基底的下表面。本发明的半导体封装结构的翘曲调整层可以补偿和抵消塑封材料层形成后导致的翘曲，从而减小甚至消除半导体封装结构的翘曲。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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