一种具有梯度能带的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110294472.9
IPC分类号：H01L31/032;H01L31/04;H01L21/203;H01L31/18
申请日期：
2011-09-28
申请人：
中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院

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专利名称	一种具有梯度能带的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201110294472.9	申请日期	2011-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-04	公开/公告号	CN102306666A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/032 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/032 除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院	申请人地址	上海市普陀区中山北路2000号中期大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国建材国际工程集团有限公司,蚌埠玻璃工业设计研究院	当前权利人	中国建材国际工程集团有限公司,蚌埠玻璃工业设计研究院
发明人	彭寿;曹欣;王芸;任志艳;向光
代理机构	安徽省蚌埠博源专利商标事务所	代理人	倪波

摘要

本发明公开一种具有梯度能带的铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法，使用CIGS四元靶材制备光吸收层、采用间歇式溅射的方式在光吸收层中形成梯度能带、采用磁控溅射法制备ZnS过渡层取代传统的水浴沉积法制备CdS过渡层；实现一步法制备CIGS光吸收层，纯物理气相沉积技术制备CIGS薄膜太阳能电池，大幅度提高制备过程的可控性和成分的均匀性，并实现薄膜的高速沉积；通过使用CuGa靶或Ga靶的共溅射实现了光吸收层总能带的梯度分布，提高吸收层对入射光的吸收效率，从而提高了太阳能电池的光电转换效率；制备过程中避免使用Cd，H2Se等有害元素，具有环境友好性，规避日益严苛的环保政策，满足未来发展需要，具有良好的市场前景。

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