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一种薄膜体声波谐振器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910656067.3
  • IPC分类号:H03H9/17;H03H3/02
  • 申请日期:
    2019-07-19
  • 申请人:
    中芯集成电路(宁波)有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜体声波谐振器及其制造方法
申请号CN201910656067.3申请日期2019-07-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-04公开/公告号CN112039479A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H9/17IPC分类号H;0;3;H;9;/;1;7;;;H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人中芯集成电路(宁波)有限公司申请人地址
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯集成电路(宁波)有限公司当前权利人中芯集成电路(宁波)有限公司
发明人隋欢;齐飞;杨国煌
代理机构北京思创大成知识产权代理有限公司代理人张立君
摘要
本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法,其中薄膜体声波谐振器包括:第一衬底;键合于第一衬底上的支撑层;形成于支撑层的第一空腔;位于支撑层上的压电叠层结构;形成于压电叠层结构的第一沟槽和第二沟槽;压电叠层结构上的介质层;形成于介质层中的第二空腔;第一沟槽与第一空腔连通,第二沟槽与第二空腔连通,覆盖第二空腔的第二衬底。本发明中沟槽结构有效阻断了横波从有效工作区中传出,改善了声波损耗,使薄膜体声波谐振器的品质因子得到提高,同时,带有上部封装盖结构的薄膜体声波谐振器有效解决了暴露在上部空间的各层免受外部环境的污染问题,整体提高了器件的性能。

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