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晶体振荡器的温度补偿

发明专利无效专利

申请号：
CN200880113860.9
IPC分类号：H03B5/04;H03B5/36
申请日期：
2008-10-29
申请人：
高通股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶体振荡器的温度补偿
申请号	CN200880113860.9	申请日期	2008-10-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-22	公开/公告号	CN101842974A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03B5/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03B 使用工作于非开关状态的有源元件电路，直接或经频率变换产生振荡；由这样的电路产生噪声（特别用于电子乐器的发生器入G10H；微波激射器或激光器入H01S；等离子体振荡的产生入H05H） H03B5/00 利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡（H03B 9/00，H03B 15/00优先） H03B5/02 零部件 H03B5/04 为补偿物理量，例如电源、负荷、温度的变化，对振荡器进行的改进	IPC分类号	H;0;3;B;5;/;0;4;;;H;0;3;B;5;/;3;6查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	颜宏伯;丹尼尔·弗雷德·菲利波维奇
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟

摘要

本发明涉及用于产生晶体振荡器的温度补偿频率估计的方法及设备，其中计及所述晶体及振荡器两者的温度。使用晶体温度测量来产生第一频率分量。按比例缩放振荡器温度测量与第二温度之间的差，并使用其来产生第二频率分量。可对所述第一及第二频率分量求和以产生所述晶体振荡器的频率估计。在一实施例中，可在斜率域中执行计算。

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