一种控制所负载基板温度的静电卡盘及等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110420563.2
IPC分类号：H01J37/32;H01J37/02
申请日期：
2011-12-15
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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专利名称	一种控制所负载基板温度的静电卡盘及等离子体处理装置
申请号	CN201110420563.2	申请日期	2011-12-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103165381A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;J;3;7;/;0;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	凯文·佩尔斯
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	吴世华;冯志云

摘要

本发明提供一种用于控制所负载基板温度的静电卡盘，其用于在等离子体处理装置中承载基板，所述的静电卡盘包括第一温度控制区和第二温度控制区，所述第一温度区与所述第二温度区上下分布，其特征在于，至少所述第一温度控制区设置至少一阻热区，所述阻热区内存在一阻热槽。还提供一种等离子体处理装置。本发明通过对静电卡盘的不同温度控制区设置不同的阻热区，从而减少静电卡盘横向传递热量，实现静电卡盘最大化地纵向地将热量传递给放置于静电卡盘上的基板，从而进一步提高应用本发明所提供的静电卡盘的等离子体处理装置的工作效率，节省能源。

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