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一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110388977.5
  • IPC分类号:C09K11/61;C09K11/06;C07C209/00;C07C211/07;H01L33/50
  • 申请日期:
    2021-04-12
  • 申请人:
    华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
著录项信息
专利名称一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用
申请号CN202110388977.5申请日期2021-04-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-03公开/公告号CN113201328A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/61IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;6;1;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6;;;C;0;7;C;2;0;9;/;0;0;;;C;0;7;C;2;1;1;/;0;7;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0查看分类表>
申请人华中科技大学;深圳华中科技大学研究院申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学,深圳华中科技大学研究院当前权利人华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
发明人张建兵;连霖源;唐江;高亮;蓝新正;张道礼
代理机构华中科技大学专利中心代理人许恒恒
摘要
本发明属于发光材料技术领域,公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用,该材料的化学式为(C16H36N)CuI2,尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进,得到(C16H36N)CuI2材料,无需稀土元素参与,即可实现单基质双带白光发射,与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类,实现了发射光谱覆盖整个可见光区域,在400~850nm,激发光谱覆盖250~400nm,其PLQY高达54.3%。

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